-
- 1.1 Ашылу тарихы
- 1.2 Вольфрам мен молибденнің физикалық және химиялық қасиеттері, қолдану саласы
- 1.3 Вольфрамның өндірістік шикізаттары
- 1.4 Вольфрам концентраттарын өңдеу. Вольфрам үшоксидінің өндірісі
- 1.5 Молибденнің өндірістік шикізаттары
- 1.6 Молибден концентраттарын өңдеу. Молибден үшоксидінің өндірісі
- 1.7 Металдық вольфрам мен молибден ұнтақтарын өндіру
- 1.8 Ұнтақты металлургия әдісімен тұтас металдық вольфрам және молибден алу
- 1.9 Молибден мен вольфрамды балқыту
- 1.10 Вольфрам мен молибденді қысыммен өңдеу
-
- 4.1 Жалпы мәліметтер
- 4.2 Титан, цирконий және гафнийдің қолдану салалары
- 4.3 Титанның химиялық қосылыстарының өндірісі
- 4.4 Титан диоксиді өндірісі
- 4.5 Цирконий мен гафнийдің химиялық қосылыстарын өндіру
- 4.6 Кеуекті және ұнтақ тәрізді титан, цирконий және гафний өндірісі
- 4.7 Тұтас металдық титан және цирконий өндірісі
-
- 5.1 Ашылу тарихы
- 5.2 Ренийдің қасиеттері
- 5.3 Ренийдің шикізат көздері
- 5.3.1 Ренийдің дәстүрлі емес шикізаттары
- 5.4 Сульфидті молибденит концентраттарын өңдеуде ренийдің таралуы
- 5.5 Сульфидті мыс концентраттарын өңдеуде ренийдің таралуы
- 5.6 Ренийді қайтармалы шикізаттар мен техногенді өнімдерден бөліп алу
- 5.6.1 Ренийді техногенді өнімдерден бөліп алу әдістері
- 5.6.2 Ренийді қолданыстан шыққан немесе жарамсыз катализаторлардан бөліп алу әдістері
- 5.6.3 Ренийді ренийқұрамды қорытпалардан бөліп алу
- 5.7 Ренийді ерітінділерден бөліп алу технологиясы және аммоний перренатын алу
- 5.8 Ұнтақты және тұтас металдық рений өндірісі
Мазмұны
8.3 Индийді өндіру технологиясы
Вакуумды дистилляция.
Индийді 0,13 Па вакуумда 600 - 950 ℃-та балқыту ондағы төмен қайнайтын металлдар – сынап, кадмий, мырыш, мышьяк қоспаларын жоюға мүмкіндік береді. Балқытуды жоғары тазалықтағы графиттен жасалған тигельдерде индукциялық пеште жүзеге асырады. Егер талийден тазарту қажет болса, температураны 1050 - 1100 ℃-қа дейін көтереді. Вакуумды балқытудан кейінгі кадмий, сынап, таллийдің мөлшері \(\small \leq 10^{-4}\%\) болады. Индийді ұшырындыға жоғалуы - 5 - 10% құрайды.
Зоналық балқыту және балқымалардан құймаларды созу.
Терең тазартудың бұл әдістерін жартылай өткізгіш электроникада пайдаланылатын индий үшін қолданады. Индийді қайықшаларда (зоналық балқыту) немесе таза кварцтан не аса таза тығыз графиттен жасалған тигельдерде (созу әдісі) вакуум немесе аргон не сутегі атмосфераларында балқытады.
Индийді фракциялық кристаллдау арқылы таралу коэффициенты 0,1-ден төмен болатын күміс, никель, мыс қоспаларынан ғана терең тазалауға қол жеткізуге болады. Кристаллдау әдістерімен \(\small \text{Hg}, \, \text{Sn}, \, \text{Pb}, \, \text{Cd}, \, \text{Zn}, \, \text{Ga}, \, \text{Tl}, \, \text{Bi}\) қоспаларынан тазарту олардың таралу коэффициенттерінің 1-ге жақын болуына байланысты эффективтілігі төмен. Бұл қоспалардан жоғарыда аталған басқа әдістер арқылы тазартқан жөн.